pn結(jié)電荷、電場及電勢分布
發(fā)布時間:2016/7/31 16:51:24 訪問次數(shù):8136
根據(jù)以上內(nèi)容可知:由n區(qū)到p區(qū)電子勢能逐漸升高,其中載流子分布遵循玻爾茲曼分布, AH1883因此由n區(qū)到p區(qū)自由電子濃度迅速降低,由p區(qū)到n區(qū)空穴濃度迅速降低,所以空間電荷區(qū)大部分范圍內(nèi)的載流子濃度遠小于空間電荷區(qū)外的載流子濃度,可近似為載流子耗盡,故空間電荷區(qū)也稱為耗盡區(qū)。假設(shè)雜質(zhì)濃度分布均勻,則耗盡區(qū)內(nèi)p區(qū)一側(cè)電荷密度為刁NA,空穴耗盡厚度為坫0;n區(qū)一側(cè)電荷濃度為gND,電子耗盡厚度,如圖2-7(a)所示網(wǎng)。
根據(jù)以上內(nèi)容可知:由n區(qū)到p區(qū)電子勢能逐漸升高,其中載流子分布遵循玻爾茲曼分布, AH1883因此由n區(qū)到p區(qū)自由電子濃度迅速降低,由p區(qū)到n區(qū)空穴濃度迅速降低,所以空間電荷區(qū)大部分范圍內(nèi)的載流子濃度遠小于空間電荷區(qū)外的載流子濃度,可近似為載流子耗盡,故空間電荷區(qū)也稱為耗盡區(qū)。假設(shè)雜質(zhì)濃度分布均勻,則耗盡區(qū)內(nèi)p區(qū)一側(cè)電荷密度為刁NA,空穴耗盡厚度為坫0;n區(qū)一側(cè)電荷濃度為gND,電子耗盡厚度,如圖2-7(a)所示網(wǎng)。
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- AH1883
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