常見氮化物材料的禁帶寬度分布范圍較大,從禁帶AF90N03D寬度為0.7cV的InN材料到禁帶寬度為3.4eV的GaN材料,再到禁帶寬度為6,2cV的AlN材料,其對應(yīng)光譜包含了紅外、可見光和深紫外波段,因此在發(fā)光器件中有廣泛的應(yīng)用,本節(jié)主要介紹其能帶結(jié)構(gòu)。

   同質(zhì)pn結(jié)結(jié)構(gòu)

   在半導(dǎo)體材料中,如果一部分是n型區(qū)域而另一部分是p型區(qū)域,在這兩區(qū)域的交界面處就形成pn結(jié)冂。如果這兩區(qū)域材料相同,則此pn結(jié)稱為同質(zhì)pn結(jié);如兩區(qū)域材料不同,則稱為異質(zhì)pn結(jié)。如pll結(jié)兩側(cè)雜質(zhì)濃度分布均勻,在p區(qū)或n區(qū)界面處雜質(zhì)濃度有一突變,則此pn結(jié)稱為突變pn結(jié);如雜質(zhì)濃度從p區(qū)到n區(qū)逐漸改變,則此pn結(jié)稱為緩變pn結(jié)。由單一pn結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件稱為二極管。