根據(jù)式(3-5)和式(3弱)的計算結(jié)果如圖3-2所示,隨組分豸的增加,當(dāng)豸等于0.56時,(AlxGa1”)o5In0` AAT2500MITP由直接帶隙變?yōu)殚g接帶隙材料,對應(yīng)的帶隙寬度為2.25eV。可見,(AlⅠGa1005InO sP材料對應(yīng)的直接帶隙的范圍為1.899~2,25cV,代入式(3-1)得到對應(yīng)的波長范圍為550~650nm,如果用(AlyGa10o5hosP材料作為發(fā)光有源區(qū),可覆蓋從黃光到紅光的波段。需要注意的是,對黃光區(qū)附近的AlGaInP材料,由于Γ谷和X谷的能量極小值相差很小,相當(dāng)部分的導(dǎo)帶電子會填充到X谷中,導(dǎo)致Γ谷中的電子濃度降低,這是用AlGaInP材料難以制備高效率黃光LED的重要原因之一。根據(jù)式(39)~式(3巧),可以求得AlGaInP材料的帶隙與晶格常數(shù)的關(guān)系,結(jié)果如圖3-3所示團,右邊的縱軸還標(biāo)出了與帶隙躍遷對應(yīng)的波長,在圖中同時標(biāo)出了直接帶隙和間接帶隙的區(qū)域。圖中的垂直虛線段表示與襯底GaAs晶格匹配的帶隙范圍。