生長(zhǎng)ITo電流擴(kuò)展層。光刻后,ITo腐蝕液(Hc1和FcC13按一定比例混合)腐蝕ITo層,丙酮去膠、K4T1G164QQ-HCE6常規(guī)清洗。ITO退火。將清洗干凈的外延片在快速退火設(shè)備中退火。

   電極制作。光刻后留膠,蒸發(fā)Cr/Au電極,丙酮超聲剝離電極,合金。加厚電極制作。蒸發(fā)△/Al/Ti/Au電極,使P、N電極加厚,有利于后續(xù)壓焊。最后進(jìn)行減薄、劃片、裂片、壓焊、測(cè)試。

   盡管目前GaN基LED技術(shù)發(fā)展迅速,光效得到了很大提高,但各企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)為了進(jìn)一步提高光效或避開(kāi)專利技術(shù)壁壘,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)仍在不斷探索新的技術(shù)路線和新的器件制備方法,如GaN同質(zhì)外延、三維結(jié)構(gòu)發(fā)光、量子點(diǎn)技術(shù)等,隨著新技術(shù)的涌現(xiàn),也會(huì)隨之出現(xiàn)與之相匹配的器件制備工藝。