對于G‰Inl`與襯底間失配的細(xì)致調(diào)整,由于Mo源流量的改變很小,可利用失配度與Mo源流量改變值的簡單線性關(guān)系進行推定。例如,設(shè)兩次連續(xù)實驗中所有工藝條件相同,AAT2842AIBJ-EE-T1且TMIn的流量固定,使TMGa的流量增加AF TMGa,則Ga.In1`的正失配量將減小,通過XRD壩刂得失配度的改變量為△Ⅳ ppm,可得單位TMGa流量 改變引起失配度的變化為ΔF TMGa。

   下面介紹與襯底GaAs晶格匹配的四元系材料(A1Gal0o5Ino`的分 控制問題。在外延mGa1吖)05Ino`之前,首先需要在相同的工藝條件下外延與GaAs晶格匹配的A105In05P和Ga05In0`材料,且兩者的TMIn流量相同,與A105In05P相應(yīng)的TMAl的流量為廠TMAl,與GaO5InO hP相應(yīng)的TMGa的流量為FJMGa。當(dāng)外延生長(A1Ga1Jo5ho5P時,仍然采用之前A105In05P和GaO5In0~hP相同的工藝條件,如溫度、壓力、PHR流量和TMIn流量等,且TMA1和TMGa也同時通入反應(yīng)室,但TMA1和TMGa的流量應(yīng)分別為丌f_TMAl和(1△)・F TMGa�？梢�,在外延(A1GalDo5Ino5P材料之前,優(yōu)化與襯底晶格匹配的、高質(zhì)量A105In0`和GaO5In0`材料的外延生長工藝條件是非常重要的。