MOSFET閾值電壓吒h是在柵下面的半導體呈現(xiàn)強反型從而出現(xiàn)導電溝道時所需加的柵源電壓。CAP004DG由于剛出現(xiàn)強反型時,表面溝道中的導電電子較少,反型層的導電能力較弱,因此漏電流也比較小。在實際應用中往往規(guī)定漏電流達到某一值(如5OltA)時的柵源電壓為閾值電壓。同時,從使用角度講,希望閾值電壓Kh小一些好。由于閾值電壓是決定MOsFET能否導通的臨界柵源電壓,因此它是MOSFET非常重要的參數(shù)。為了使器件獲得適當?shù)墓ぷ餍阅?閾值電壓不能太大或太小。如果閾值電壓太大,開啟功率MOsFET所需要加的柵偏壓就很大,這使得柵的驅動電路設計成為一個很麻煩的問題。而若閾值電壓太小,則器件在處于關態(tài)時,可能由于柵端的噪聲信號或在高速開關過程中引起的柵壓升高等因素,使器件發(fā)生誤操作。通過對不同電壓等級的MOsFET在不同溫度下表現(xiàn)出來的閾值電壓進行測試,得出的結果是MOsFET的閾值電壓隨溫度的升高而有所降低。這主要是因為本征載流子濃度下降了多個數(shù)量級,低的本征載流子濃度提高了基區(qū)的禁帶變窄效應,這種效應的出現(xiàn)就需要更高的柵極電壓來形成反型層。下面給出理想情況下閾值電壓的基本表達式。器件的閾值電壓‰的測量采用兩種方法,即固定漏極電流法和最大跨導法。