光刻工藝是影響LED芯片制造良率最為關(guān)鍵的工藝,其工藝成本占LED芯片制造總成本很大一部分。JST7808CV在LED芯片制造過程中一般需要經(jīng)過多次光刻,其中有正性光刻;也有負(fù)性光刻。

   正性光刻工藝中,復(fù)制到晶片表面的圖形與掩膜板上的圖形是一樣的。如圖4‘所示為正性光刻的示意圖。被紫外光曝光的光刻膠區(qū)域經(jīng)過光化學(xué)反應(yīng),在顯影時可在顯影液中被溶解而去除,而不透明的掩膜板下沒有被曝光的光刻膠則保留在待光刻晶片上。這種最終形成的光刻膠圖形與掩膜板上的圖形相同,所以這種光刻膠稱為正性膠,簡稱正膠。保留下來的光刻膠經(jīng)過堅膜硬化,它將留在晶片上,作為后續(xù)工藝的保護(hù)層,待后續(xù)工藝完成,作為保護(hù)層的光刻膠將會被去除。在藍(lán)綠光LED芯片制造過程中的ITo光刻、鈍化層光刻、臺面圖形(MEsA)光刻通常都是正性光刻完成的。