PECVD工藝沉積So2薄膜時(shí)影響薄膜的主要參數(shù)有射頻功率、壓力、溫度、氣體流量比等。MLV-005D研究表明lbl,隨著射頻功率的增大,淀積速率先迅速增加,然后增加逐漸變緩,最后又逐漸降低。一定程度上,隨著壓強(qiáng)的增加,反應(yīng)氣體的濃度增加,沉積速率增加,薄膜的折射率略有下降。隨著溫度的上升,沉積速率稍有上升,薄膜質(zhì)量和應(yīng)力狀態(tài)受到很大影響。有研究表明冂,從低溫到高溫,應(yīng)力的變化趨勢(shì)是從壓應(yīng)力變?yōu)閺垜?yīng)力。其理論解釋為:壓應(yīng)力是由于在膜的沉積過程中,到達(dá)膜表面的離子的橫向移動(dòng)的速率太小,來不及到達(dá)其“正�！钡木Ц裎恢镁捅缓髞淼碾x子覆蓋,這樣離子就相當(dāng)于被阻塞在某一位置,最終就會(huì)膨脹,形成壓應(yīng)力。張應(yīng)力的形成是由于在膜的形成過程中,由于反應(yīng)中間產(chǎn)物的氣化脫附,而參加淀積的原子,由于其遷移率不夠大而來不及填充中間產(chǎn)物留下的空位,最后形成的膜就會(huì)收縮,產(chǎn)生張應(yīng)力。