LED芯片制造中用到的沉積工藝主要是PECVD沉積氧化硅、氮化硅、MC33941EGR2氮氧硅等用于鈍化層(Passivation Layer)或者電流阻擋層(CuⅡent Blocking Laycr,CBL)。如圖午13所示為PECVD的原理圖。它是利用低溫等離子體做能量源,晶片置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使晶片升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。一般說(shuō)來(lái),采用PECⅤD技術(shù)制備薄膜材料時(shí),反應(yīng)物進(jìn)入反應(yīng)室后,薄膜的生長(zhǎng)主要包含3個(gè)基本過程:①在非平衡等離子體中,電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng),使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團(tuán)的混合物;②各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn),同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng);③到達(dá)生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng),同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。