倒裝芯片與正裝芯片的制備工藝主要差異如下:

   ①倒裝芯片需要制備高反射層,通常采用Ag,Al,DBR等材料做反射層。

   ②倒裝芯片采用了雙層布線結(jié)構(gòu),第二層JM20329-LGCA5D金屬為P、N大面積多層加厚金屬Bonding電極,簡單來講芯片正面只可以看到兩大塊分割開的P、N Bonding電極。

   ③兩層金屬之間的絕緣介質(zhì)層包裹性要好,同時第一層金屬到第二層金屬,以及少⒍Ⅸ到n~GaN均采用了通孔(Ⅵa)芾刂程。

下面以Ag反射層為例,介紹倒裝芯片的制備工藝,工藝流程如圖⒋33所示。

   圖⒋33 倒裝芯片制備流程

   以上工藝流程中重點需注意,Ag的反射率很高,同時也是很活潑的金屬,需要制備保護層將其包裹住。制備工藝中通過真空鍍膜機臺、濺射鍍膜機臺、PECVD機臺等設備制備多種膜層,通過光刻工藝制程、濕法刻蝕、干法刻蝕,以及Lift-off工藝實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移,這

與正裝LED芯片制作過程很接近。