導(dǎo)線電極一般采用直接爬過溝槽的方法制造。高壓LED的電極不僅要與n~GaN、p-GaN形成優(yōu)良的歐姆接觸,同時作為互聯(lián)導(dǎo)線也要具有低的串聯(lián)電阻, K4S561632H-UC75降低器件的工作電壓,從而提高發(fā)光效率。GaN基LED的n型歐姆接觸電極之前被廣泛采用的材料是△/Al復(fù)合電極,由于Al材料的熱穩(wěn)定性很差,在高溫下很容易球化或氧化,導(dǎo)致電極表面粗糙或形成電極表面氧化物,從而造成后續(xù)壓焊掉電極或電極接觸不良等現(xiàn)象,影響LED器件的電學(xué)特性。為了消除此現(xiàn)象,可以在TyAl電極基礎(chǔ)上淀積T〃Au復(fù)合金屬。由于Au很難被氧化,因此可以保護Al電極,而△層的作用是為防止Au層和Al層互擴散,影響電極的接觸特性。Ⅱ/Al/Ti/Au電極的接觸電阻率可做106~10:Ω2cm2。

   隨著外延水平的提高,p型G溆的摻雜己經(jīng)有所改善,但p型歐姆接觸電極的制作仍然是決定GaN基LED電學(xué)特性的關(guān)鍵因素。目前,p型歐姆接觸特性的提升主要依賴于表面處理技術(shù)、高功函數(shù)金屬的選擇,以及電極的后退火技術(shù)�！�/Au復(fù)合金屬層是現(xiàn)在普遍認(rèn)同的p型歐姆接觸電極材料,該體系與少C.aN接觸電阻是目前所有金屬體系中最低的,且經(jīng)o2氛圍退火后Ni/Au體系透射率較高,對4⒛um的光透射率達(dá)⒛%左右。如果p型表面使用了透明電極ITo作電流擴展層,p型和n型電極全用Cr/Au材料,這樣n型、p型只整一次金屬,大大節(jié)約了工藝成本。