GaN基高壓LED器件的外延片結(jié)構(gòu)是在藍(lán)K4S643232F-TC60寶石襯底上依次生長GaN緩沖層,GaN體材料層,InGaN/GaN多量子有源區(qū),川GaN/GaN載流子限制層和高p型歐姆接觸層,p-⒍Ⅸ限制層。高壓LED器件制備流程。

   高壓LED工藝流程如下:

   (1)清洗LED夕卜延片。先用王水(IINo3∶HCl=1∶3)高溫煮沸去除銦球、表面氧化物及雜質(zhì)顆粒等,取出后用去離子水沖洗若干次;丙酮加熱煮沸清洗,去除有機(jī)物污染;無水乙醇加熱清洗,主要用于去除殘余的丙酮等有機(jī)溶劑,最后用去離子水清洗若干遍。

   (2)刻蝕ll αN臺階。采用厚光刻膠作為ICP刻蝕掩膜,刻蝕深度約11um,刻蝕圖形后用丙酮溶液去膠,常規(guī)清洗。

   (3)生長用于深槽刻蝕的S⒑2掩膜。經(jīng)光刻、BOE腐蝕獲得掩膜圖形,丙酮去膠,常規(guī)清洗�？涛g深槽。根據(jù)前述所示,調(diào)節(jié)￡P(guān)各刻蝕參數(shù),圖形襯底的外延片刻蝕深度約4,5um,圖形襯底外延片刻蝕深度約為6.5um,深槽達(dá)到絕緣隔離要求后,用BOE溶液去除掩膜,常規(guī)清洗。                '

   (4)生長Siα絕緣層,然后經(jīng)光刻,BOE腐蝕、開出p-GaN窗口。