刀片切割是半導(dǎo)體制作過(guò)程中常用到的切割方法,但是刀片切割是一種機(jī)械的切割方式, EMP7032QC44-15割后會(huì)留下不想要的副產(chǎn)物和在晶片中產(chǎn)生應(yīng)力。這導(dǎo)致晶片產(chǎn)生一些損傷,如裂紋、暗裂、碎屑等。因此,當(dāng)提高切割速率或者減薄晶片厚度時(shí)整個(gè)切割的良好率下降。但是半導(dǎo)體制造中的晶片越來(lái)越薄,且工業(yè)化生產(chǎn)中的作業(yè)速度是一項(xiàng)重要的考量,而且,在研磨過(guò)程中需要有研磨液來(lái)防止產(chǎn)生摩擦熱,研磨完畢后需要清潔研磨泥漿。為了克服刀片切割中的問(wèn)題,發(fā)展了很多激光切割方法。這些方法中,激光束聚焦在晶片表面,激光束的能量被晶片表面吸收,吸收的激光能量使得晶片表面熔化或者由于吸收的能量使晶體的表面變形,被稱(chēng)為激光燒蝕方法和激光打斷方法。與刀片切割相比,激光燒蝕方法雖然沒(méi)有機(jī)械振動(dòng),但在燒蝕過(guò)程中,熱的影響和燒灼殘余物是個(gè)主要的問(wèn)題,當(dāng)晶片表面被燒蝕時(shí),產(chǎn)生的顆粒粘附在晶片表面稱(chēng)為污染物;激光打斷方法中,原始的裂紋以及裂紋的傳播使得裂片時(shí)不完全按照設(shè)計(jì)的打斷紋進(jìn)行。