隱形切割可以解決上述問題。這個(gè)方法與其他激光切割的方法不同,EN80C196KB16激光聚焦在晶片內(nèi)部是最大的一個(gè)不同點(diǎn)。sD方法不需要清潔晶片和其他產(chǎn)生的泥漿,因?yàn)椴粫?huì)在晶片上產(chǎn)生殘留污染物。激光束被設(shè)計(jì)聚焦在晶片的內(nèi)部,聚焦激光產(chǎn)生SD層,作為裂片時(shí)的分離點(diǎn)。隱形切割的優(yōu)勢(shì)如下:

   ①對(duì)超薄的晶片具有高速作業(yè);

   ②不產(chǎn)生碎屑等殘留污染物;

   ③整個(gè)過程都是在干燥的情況下進(jìn)行。

   隱形切割可以發(fā)展用來解決切割裂片過程中固有的殘余碎屑和不必要的熱損傷問題。在隱形切割中,利用片子的吸收系數(shù)隨溫度而變的關(guān)系,使得具有可穿透波長的激光束功率僅僅被聚焦點(diǎn)局部吸收。吸收功率后的片子形成一層改良層,良層是作為裂片時(shí)的分離區(qū)域。其原理如下:如圖5-5所示,激光器透過材料表面,并聚焦于內(nèi)部[如圖5-5(a)所示],當(dāng)內(nèi)部激光功率密度超過臨界值時(shí),可在任意深度上形成帶狀SD層(多晶層/高位錯(cuò)密度層和微裂紋/孑L洞)然后通過擴(kuò)晶得到晶粒[如圖5-5(b)所示]。

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