濕法粗化后GaN的表面形貌均方根粗糙度(RMS)與溶液的溫度、濃度以及粗化的時間相關(guān)。EP1C12Q240I8N粗化后的光電參數(shù)不但與粗化后的六角錐大小有關(guān),而且與六角錐的密度有關(guān)。一般來講,溶液濃度和溫度保持不變的條件下,隨著粗化時間越長,GaN表面的六角錐越來越大,并且六角錐的密度在減少,一般認為是由于一些六角錐在長大,同時另一些六角錐在慢慢的溶解,或者可以說是一些六角錐把周圍的六角錐慢慢的“吞食”掉,而自身在不斷地長大;在一定范圍內(nèi),粗化時間越長,器件的出光功率越大,但不是時間越長,出光功率越大,到一定時間后出光功率會下降,這與六角錐密度變小有關(guān)。在一定粗化時間和溶液濃度的條件下,隨著粗化溫度的升高,粗化的速度增加,達到相同的粗化效果需要的粗化時間更短,溫度越高粗化后的六角錐顆粒越大,另外顆粒密度則越小;隨著溶液溫度的升高,器件光提取效率先增加至最大值后再下降。在一定的溶液溫度和時間條件下,溶液濃度越高,GaN被粗化的越快;但一般認為低濃度的粗化液對光提取效率的提高比高濃度粗化液更有效。

   光增強化學(xué)濕法刻蝕eECl是濕法刻蝕的一種,它的原理是先將G槲氧化分解,然后是氧化物的溶解。光增強化學(xué)濕法刻蝕是在室溫條件、UV光照射下的光電化學(xué)過程,N極性GaN浸泡在刻蝕溶液中時,當光的能量大于GaN的禁帶寬度時,即/cI/≥幾,兄≤工竺, 兄≤365nm時,被照射的G燜表面將吸收光的能量,而激發(fā)出電子空穴對,空穴將參與GaN的氧化分解,而多余的電子若通過外置偏壓導(dǎo)出,則此PEC為光電化學(xué)刻蝕;若芯片沒有接外置偏壓,即電子是直接通過芯片上的接觸電極與氧化載體(oxidizing agcnt)消耗掉,則反應(yīng)為無電極光增強化學(xué)濕法刻蝕(Photo-assistcd clectrole“etching)。