GaN基LED芯片制造過(guò)程中,隱形切FGA25N120ANTDTU割可以提高光提取效率,在芯片背面的藍(lán)寶石襯底上鍍上反射層金屬也可以提高光提取效率,但是這兩種技術(shù)較難結(jié)合起來(lái),原因是激光切割對(duì)LED發(fā)光區(qū)有一定的損傷,如果從正面切入,若切割功率偏大,切割深度偏深,很容易造成芯片漏電,若切割功率偏小,切割深度偏淺,則在后續(xù)劈裂時(shí)難以將之裂開(kāi),造成雙胞甚至多胞。所以一般激光束是從藍(lán)寶石背面透射進(jìn)來(lái),如果在藍(lán)寶石表面鍍上反射層金屬,則使得激光光束進(jìn)入不了藍(lán)寶石(一般隱形切割的激光波長(zhǎng)是10znm或者35snm,都不能透過(guò)背面鍍的金屬膜)。因此,一般使用背面鍍反射金屬的技術(shù)在工藝上使用激光燒蝕的方式進(jìn)行切割,然后用側(cè)腐蝕工藝將芯片側(cè)壁燒蝕留下的吸光殘留物去除。

   相對(duì)于干法蝕刻而言,濕法蝕刻不會(huì)引入太多缺陷和損傷,并且成本低,可批量性生產(chǎn)。研究表明,其蝕刻速率與其外延生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量強(qiáng)烈相關(guān)。因?yàn)镚aN與藍(lán)寶石大的晶格失配,在GaN外延層與藍(lán)寶石襯底界面處的位錯(cuò)密度很高,造成其晶體質(zhì)量不好,并且與界面越遠(yuǎn)的地方,其晶體質(zhì)量越好。因此,臨近GaN-藍(lán)寶石界面的GaN濕法蝕刻速率比遠(yuǎn)離界面的要高,所以可以得到傾斜的側(cè)邊,對(duì)提高G瘀基LED的光功率有一定效果。