側(cè)腐蝕工藝不僅僅是指將激光燒蝕的殘留物濕法去除和將側(cè)壁蝕刻成倒T形,也包括通過(guò)蝕刻改變芯片的外形。 FGL60N100BNTD有研究者uq在傳統(tǒng)的LED樣品制作流程完畢后,用800W的汞燈作為光增強(qiáng)化學(xué)腐蝕(photoelec“ochcmical,PEC)的光源,用Pt作為陰極,⒛V的正向電壓作用在肛GaN上30min,然后用Hα∶比o=1△溶液溶解生成的Ga2o3,然后將之浸入gO℃溫度、2.2M濃度的KoH溶液ωmin進(jìn)行晶體學(xué)濕法蝕刻形成具有錐狀側(cè)壁的LED。

   其樣品制作主要步驟示意圖和sEM照片如圖5-27所示,首先按照傳統(tǒng)的芯片制備方法制備出側(cè)壁豎直的LED樣品,然后PEC作用下氧化和蝕刻,再用熱KoH溶液腐蝕出錐狀側(cè)壁。

   通過(guò)PEC選擇性氧化和濕法蝕刻,穩(wěn)定并且可以控制的在p-GaN中形成{10丁T)面,在n~GaN中形成(101O)面,二者形成27°角[如圖5-27(c)所示],相對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)LED,提高了光提取效率。如圖5-28所示的z-J曲線和遠(yuǎn)場(chǎng)輻射光型圖展示了經(jīng)過(guò)上述PEC濕法蝕刻的樣品在⒛IuA下提高了出光功率⒛%。