D.S.Kuo等人用熱磷酸對(duì)GaN夕卜延層進(jìn)行缺陷選擇性濕法蝕刻形成傾斜側(cè)邊,制備了側(cè)邊腐蝕的LED器件,相對(duì)傳統(tǒng)的LED,出光功率提高30%。 FGL40N120AND圖5-24是用側(cè)腐蝕工藝制備的GaN基LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖和用sEM拍的側(cè)邊形貌照片,明顯可以看到芯片側(cè)邊的整個(gè)外延層被磷酸蝕刻干凈,露出PSS圖形,外延層底部蝕刻的深度比外延層表面蝕刻的深度要深,使得整個(gè)外延層形成倒T形,從而增加側(cè)壁出光。圖5-25展示了用LED光型儀測出的有無側(cè)腐蝕工藝的LED發(fā)光光型圖。在光型圖中可以看出,(a)圖四周發(fā)光明顯比(b)圖強(qiáng),這說明側(cè)腐蝕將LED側(cè)壁腐蝕成倒T形能增加側(cè)壁出光,從而增加了光功率和光提取效率。如圖5-%所示是有無側(cè)腐蝕工藝LED的z-f-/曲線,從圖中可看到,1201nA驅(qū)動(dòng)下,做了側(cè)腐蝕工藝比未做此工藝的出光功率從50mW提高到65mW,提高30%。

   圖5-24 側(cè)腐蝕工藝制備LED芯片