上面的研究實(shí)例中紋理化圖形密度非常高,單個(gè)圖形的尺寸在納米級(jí)別,如果將 FM24C512-G紋理化圖形變小,使單個(gè)紋理化圖形放大到幾微米至十幾微米,則上述的應(yīng)力釋放和量子限制斯達(dá)克效應(yīng)緩解的程度明顯會(huì)降低,此類紋理化主要是通過紋理化圖形形成散射增加出光。GM。Wu等人u刨用光刻和ICP干法蝕刻制備了GaN基LED的表面點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu),研究了表面點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)提高LED光提取效率。如圖5-35所示制備了3種不同形狀的點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu):方形、三角形和六角蜂窩狀。測(cè)試PL光譜發(fā)現(xiàn),當(dāng)刻蝕深度10Ollm時(shí),方形點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)比平面結(jié)構(gòu)LED的光強(qiáng)度提高了⒛8%。對(duì)此光強(qiáng)的提升,作者將之解釋為周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)會(huì)像圖5-36所示一樣因?yàn)楸砻纥c(diǎn)陣結(jié)構(gòu)而使光線在表面發(fā)生多次散射,最終達(dá)到光提取的目的。