通過(guò)上述方法獲得的微納米級(jí)LED結(jié)構(gòu)一方面表明具有周期性結(jié)構(gòu)的紋理化圖形,在很大程度上打破了光在LED表面發(fā)生全發(fā)射的條件; FM24C256-G另一方面周期性的紋理化結(jié)構(gòu)可以使光在LED表面發(fā)生多次散射,并且減少了LED表面對(duì)光的吸收,提高了光提取效率。而且,因?yàn)橥庋硬牧媳豢涛g成微納米級(jí)的單獨(dú)的小區(qū)域,使得GaN夕卜延層的應(yīng)力得到一定程度的釋放,能帶傾斜得到減弱,電子和空穴波函數(shù)更靠近,緩解了量子限制斯達(dá)克效應(yīng)(quantum conⅡncmcllt Stark cffcct,QCSE),提高了LED的內(nèi)量子效率,而且因?yàn)閼?yīng)力的釋放和QCsE的緩解,LED的波長(zhǎng)會(huì)產(chǎn)生藍(lán)移(Bluc曲iR)。

   下面是一個(gè)研究實(shí)例u習(xí):外延生長(zhǎng)完畢后,先用PECVD沉積30Ollm厚的si3N4,再用電子束蒸發(fā)Ni膜,接著850℃氮?dú)猸h(huán)境RTA退火1min,獲得Ni納米顆粒掩膜,再用RIE在CF4/02作為氣體源刻蝕Si3N4,再在Ni/siN4的掩膜下用ICP-RIE復(fù)合氣體C12/AF50/20sccm作為刻蝕氣體源,刻蝕成納米柱結(jié)構(gòu)。最后用BOE(HF和NH4F的混合溶液)去除№和⒏3N4。從而制備了高密度(3.0×1010cn卩)InGaN/GaN MQW納米柱LED。制備過(guò)程和得到納米柱LEDSEM照片如圖5-34所示,納米柱的直徑在60~10Ollm,高度大于0,28um,納米柱LED的光致發(fā)光(PhotolumillcscCnCC,PL)峰值波長(zhǎng)比正常LED藍(lán)移5,1nm,納米柱LED的PL強(qiáng)度比傳統(tǒng)LED高5倍。