在傳統(tǒng)透明導(dǎo)電層上引入其他透光或?qū)Ч獾木哂屑y理化圖形的材料,或者直FM24W256-G接用具有紋理化圖形的其他透明導(dǎo)電層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的材料。此類型最常見的是直接用納米結(jié)構(gòu)的ITo作為透明導(dǎo)電層或者用摻Ga氧化鋅(Ga~dopping ZnO,GZo)或者摻Al氧化鋅(Al刂oppingZnO,AZo)作為透明導(dǎo)電層。

   H.Chh等田]報道了一種新奇且可以量產(chǎn)的ITo納米柱作為InGaN/GaN LED的全方位透明導(dǎo)電層。在N2環(huán)境中用傾斜的電子束蒸鍍的納米柱具有高的光透過性,在450~⒛OIlm范圍內(nèi)穿透率大于⒛%。如圖5-41所示為納米柱ITO結(jié)構(gòu)LED和其與無納米柱LED的對比曲線,從圖中可知具有此納米柱結(jié)構(gòu)的LED比傳統(tǒng)LED封裝后在350mA下光功率提高35.1%,電壓幾乎一致。且納米柱的厚度加厚,還能進一步提高光提取效率。