圖5-41 納米柱ITo結(jié)構(gòu)LED和其與無納米柱LED的對(duì)比卜/、￡亻曲線Kyoung-Kook⒗m(xù)等lsˉR] FM25040A-G報(bào)道了在平面ITO膜上用90℃的溶液生長(zhǎng)Zno納米柱,極大地提高了GaN基LED的光提取效率。⒛lnA驅(qū)動(dòng)電流下,Zno納米柱LED比沒有此結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)LED發(fā)光效率高57%,同時(shí)電壓沒有上升。光增加主要是因?yàn)閆nO納米柱增加了側(cè)壁出光和粗化的表面導(dǎo)致光子在LED表面發(fā)生散射而被提取出來。Young-Scok Lcc等阝明報(bào)道了一種可控的用熱溶液生長(zhǎng)Zno納米柱改變光型的GaN基LED。Zn0納米柱形狀可以用種子層控制成花瓣?duì)�、傾斜狀和垂直結(jié)構(gòu)狀。與平面LED相比,Zno納米柱LED的電性能沒有變差,但是EL光強(qiáng)增強(qiáng)。隨著Zno納米柱傾斜度的增加,LED的出光光型變寬。這歸因于ZnO納米柱有效地充當(dāng)了光的散射和光導(dǎo)介質(zhì)。S.H Tu等阝]報(bào)道了⒛lnA下紋理化GZo-TCL LED提高亮度30%。Jinn-Kong slleu等人阝刨制備了ITo/GZo復(fù)合氧化膜作為透明導(dǎo)電層的GaN基LED,如圖5-42所示。表面紋理化的ITo/GZo-TCL LED的電光轉(zhuǎn)換效率(wall~plug cfflcicncy)比Ni/Au-TCL和平面的ITO/GZo-TCL LED分別高⒛0%和繡%。相對(duì)N認(rèn)u~TCL來說,Zno的折射率更高(刀=1.9~2.l)為ITO表面用紋理化的GZo為進(jìn)一步提高光提取效率提供了可能。并且較厚的TCL電流擴(kuò)展更好。