金字塔狀(pyrami止血apc)以及凹坑(rcccss)。金字塔狀與凹坑結(jié)構(gòu)形貌在制作上的唯一不同就是掩蔽層圖形互反,前者掩蔽圖形為圓柱,后者為圓孔。B4B-PH-K-S金字塔結(jié)構(gòu)頂部和凹坑的底部因刻蝕時(shí)間的不同,可能會(huì)存在平臺(tái)面。Ji-HaO Chcng等人卩q用濕法蝕刻制作了周期性的具有不同斜邊角度的三角形金字塔陣列的PsS。在PSS側(cè)邊上除了正常的纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN,還有閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaN。隨著PsS傾斜角度由57,4°下降到31.6°,GaN的晶體質(zhì)量變好。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù)G燜是始于c面開(kāi)始生長(zhǎng)的,隨著生長(zhǎng)時(shí)間的延長(zhǎng),c面GaN夕卜延膜通過(guò)橫向生長(zhǎng)覆蓋金字塔使得線位錯(cuò)朝著金字塔轉(zhuǎn)彎。

   YK,Su等人用傳統(tǒng)光刻技術(shù)和納米球光刻技術(shù)分別制得微米和納米級(jí)Pss,在不同圖形尺寸襯底上制得GaN基LED,研究了這幾種LED的結(jié)構(gòu)、電、光性能。發(fā)現(xiàn)用PSS能顯著提高GaN夕卜延膜的晶體質(zhì)量,能提高漏電性能,在不同尺寸Pss上的LED樣品的/t・很類似,但納米級(jí)PSs上的樣品光強(qiáng)最高,表明PsS圖形的尺寸大小與光提取能力有關(guān)。H.WHuang等人卩劍通過(guò)納米壓印技術(shù)制備納米孔藍(lán)寶石圖形襯底GaN基LED。在注入電流⒛lllA下,納米孔PsS上的InGaN/GaN LED的光功率比平面襯底LED提高33%,同時(shí)光電轉(zhuǎn)換效率(wallv1ug cⅢcicncy,WPE)提高30%。表明納米孔PSs提高了光提取效率。并通過(guò)測(cè)量輻射場(chǎng)型(如圖5-52所示)得知具有納米孔Pss的LED具有更大的出光角度。