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光子晶體LED

發(fā)布時(shí)間:2016/8/10 21:11:31 訪問(wèn)次數(shù):507

   所謂光子晶體(PhotcllliC C1ysd)是指具有光子帶隙特性的人造周期性電介質(zhì)結(jié)構(gòu),或者說(shuō)是由不同折射率的介質(zhì)周期性排列而成的人工微結(jié)構(gòu)。JST5N65F光子晶體的出現(xiàn),使人們操縱和控制光子的夢(mèng)想成為可能。

   文獻(xiàn)⒓3]報(bào)追了利用光子晶體的光子帶隙效應(yīng)和光柵衍射原理,將光子晶體結(jié)構(gòu)引入AlGaInP LED。工維光子晶體LED的輸出光強(qiáng)比常規(guī)LED平均提高了16%,使用導(dǎo)電膠將AlGaInP LED粘合在硅初底⊥^,形成ll-面出光的高性能倒裝結(jié)構(gòu)LED,在⒛lnA電流下,導(dǎo)電膠粘合的AlGaInP-Si裸芯LED,飽和電流為125111A,對(duì)應(yīng)的軸向光強(qiáng)為1007,4mcd,而常規(guī)LED分別為105mA和266,2mcd。

   ⒛O9年sun~K刈ng Kim等人以Ag作為反光鏡,通過(guò)金屬共晶鍵合、光子晶體粗化的方式制作轉(zhuǎn)移到Si襯底上的1mm×1mm AlC1aInP LED卩q,如圖6-23(a)所示,其光子晶體用ICP亥刂蝕ll川GaInP,光子晶體的周期為1200nm,空氣洞半徑為4⒛nm,以AFM壩出腐蝕的深度為500nm。350m`時(shí),光輸出比無(wú)光子晶體的器件增加80%,圖⒍23(b)上圖為光子晶體的制作工藝,下圖為有無(wú)光子晶體的兩種LED的sEM圖。

   


   所謂光子晶體(PhotcllliC C1ysd)是指具有光子帶隙特性的人造周期性電介質(zhì)結(jié)構(gòu),或者說(shuō)是由不同折射率的介質(zhì)周期性排列而成的人工微結(jié)構(gòu)。JST5N65F光子晶體的出現(xiàn),使人們操縱和控制光子的夢(mèng)想成為可能。

   文獻(xiàn)⒓3]報(bào)追了利用光子晶體的光子帶隙效應(yīng)和光柵衍射原理,將光子晶體結(jié)構(gòu)引入AlGaInP LED。工維光子晶體LED的輸出光強(qiáng)比常規(guī)LED平均提高了16%,使用導(dǎo)電膠將AlGaInP LED粘合在硅初底⊥^,形成ll-面出光的高性能倒裝結(jié)構(gòu)LED,在⒛lnA電流下,導(dǎo)電膠粘合的AlGaInP-Si裸芯LED,飽和電流為125111A,對(duì)應(yīng)的軸向光強(qiáng)為1007,4mcd,而常規(guī)LED分別為105mA和266,2mcd。

   ⒛O9年sun~K刈ng Kim等人以Ag作為反光鏡,通過(guò)金屬共晶鍵合、光子晶體粗化的方式制作轉(zhuǎn)移到Si襯底上的1mm×1mm AlC1aInP LED卩q,如圖6-23(a)所示,其光子晶體用ICP亥刂蝕ll川GaInP,光子晶體的周期為1200nm,空氣洞半徑為4⒛nm,以AFM壩出腐蝕的深度為500nm。350m`時(shí),光輸出比無(wú)光子晶體的器件增加80%,圖⒍23(b)上圖為光子晶體的制作工藝,下圖為有無(wú)光子晶體的兩種LED的sEM圖。

   


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