輻射和傳導(dǎo)散熱
發(fā)布時(shí)間:2016/8/15 22:18:59 訪問(wèn)次數(shù):552
輻射和傳導(dǎo)散熱。至于大MLF1005DR18KT功率的晶體管應(yīng)該采用散熱器散熱。
d.集成電路:對(duì)于一般集成電路的散熱,主要依靠外殼及引腳的對(duì)流、輻射和傳導(dǎo)散熱。當(dāng)集成電路的熱流密度超過(guò)0.6W/cm2時(shí),應(yīng)裝散熱裝置,以減少外殼與周?chē)h(huán)境的熱阻。
c.其他元器件:小功率的電感、電容、二極管等類(lèi)似于電阻,主要依靠于引腳的傳導(dǎo)散熱;對(duì)于大功率的這些元器件,同樣需要采取相應(yīng)的散熱裝置。
元器件的合理布置。
a.為了加強(qiáng)熱對(duì)流,在布置元器件時(shí),元器件和元器件與結(jié)構(gòu)件之間,應(yīng)保持足夠的距離,以利于空氣流動(dòng),增強(qiáng)對(duì)流散熱。
b,在布置元器件時(shí)應(yīng)將不耐熱的元器件放在氣流的上游,而將本身發(fā)熱又耐熱的元器件放在氣流的下游。
c.對(duì)熱敏感元件,在結(jié)構(gòu)上可采取“熱屏蔽”方法來(lái)解決,如圖1,3,3所示,熱屏蔽就是采取措施切斷熱傳播的通路,使電子產(chǎn)品內(nèi)某一部分的熱量(熱區(qū))不能傳到另一部分(冷 區(qū))去,從而達(dá)到對(duì)熱敏感元件的熱保護(hù)。
輻射和傳導(dǎo)散熱。至于大MLF1005DR18KT功率的晶體管應(yīng)該采用散熱器散熱。
d.集成電路:對(duì)于一般集成電路的散熱,主要依靠外殼及引腳的對(duì)流、輻射和傳導(dǎo)散熱。當(dāng)集成電路的熱流密度超過(guò)0.6W/cm2時(shí),應(yīng)裝散熱裝置,以減少外殼與周?chē)h(huán)境的熱阻。
c.其他元器件:小功率的電感、電容、二極管等類(lèi)似于電阻,主要依靠于引腳的傳導(dǎo)散熱;對(duì)于大功率的這些元器件,同樣需要采取相應(yīng)的散熱裝置。
元器件的合理布置。
a.為了加強(qiáng)熱對(duì)流,在布置元器件時(shí),元器件和元器件與結(jié)構(gòu)件之間,應(yīng)保持足夠的距離,以利于空氣流動(dòng),增強(qiáng)對(duì)流散熱。
b,在布置元器件時(shí)應(yīng)將不耐熱的元器件放在氣流的上游,而將本身發(fā)熱又耐熱的元器件放在氣流的下游。
c.對(duì)熱敏感元件,在結(jié)構(gòu)上可采取“熱屏蔽”方法來(lái)解決,如圖1,3,3所示,熱屏蔽就是采取措施切斷熱傳播的通路,使電子產(chǎn)品內(nèi)某一部分的熱量(熱區(qū))不能傳到另一部分(冷 區(qū))去,從而達(dá)到對(duì)熱敏感元件的熱保護(hù)。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 刻蝕效果的主要參數(shù)有刻蝕速率
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- 數(shù)碼表示法
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推薦技術(shù)資料
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