小功率芯片的結構比較簡單,制作工藝也相對簡單,通常采用三次光刻芯片制程。JA3515-OS-A04這三次光刻分別是MESA光刻、ITo光刻、PAD光刻。詳細步驟如下:

   (1)徹底清洗外延片。該外延片是在藍寶石襯底上生長的具有GaN基發(fā)光二極管芯片結構的外延片。清洗一般分為有機清洗與混合酸液清洗。有機清洗通常采用丙酮浸泡清洗,主要去除外延片表面的有機雜物。而混合酸液清洗通常使用濃硫酸雙氧水混合液進行清洗,主要去除外延片表面金屬雜質,同時也會使用去離子水進行物理沖洗。最終達到徹底清洗外延片的目的。外延片在芯片加工過程中被稱為晶圓(wafcr)。

   (2)制作MEsA臺階。目的是使ll-GaN露出。通過黃光光刻,將掩膜板上的MESA圖形轉移到晶圓上,然后使用電感耦合等離子體(ICP)進行刻蝕,最后去除光刻膠,并沖洗干凈。這樣原本平整的外延片出現(xiàn)了MESA臺階,MEsA臺階上方為p￡aN,MEsA臺階下方為ll-GaN。其中MESA光刻步驟選用的光刻膠必須有合適的選擇比,確保rP蝕刻 過程中能完整的保護好⒉GaN,而ICP蝕刻深度要根據(jù)外延片各層GaN的厚度進行調(diào)整。

   同時MESA的制作過程也把切割道制作出來,便于后續(xù)芯片切割劈裂作業(yè),根據(jù)切割機精準度的不同,切割段寬度也不同。切割道寬度通常在⒛~35um之間。