刻蝕效果的主要參數(shù)有刻蝕速率、陡直度、選擇比、對GaN的損傷等。除了Cb虍α3作MC13213為GaN的刻蝕氣體外,也可用Cb與Ar或者Hc等l°l。干法蝕刻Sio2、silNl或者siON通常用的是含F(xiàn)或Cl的氣體,如CF4、S凡等,如用C△刻蝕Sio2的反應(yīng)式如下:

   In203+6HCl→2InC13+3H20                 (4-7)

   2snO2+8HC1→2SnC△+4H2O                 (4-8)

   I助03+6HNo3→2h(NOD3+3H20              (⒋9)

   2sn02+8HN03讠2snlNo3)4+4H20                (4△0)

   ITo蝕刻液中濕法蝕刻的反應(yīng)主要是式(⒋7)和式(⒋8),溶液中的FcC13主要是起緩沖的作用,用于調(diào)整溶液中HCl的平衡,其反應(yīng)式為:

   FcC1+3H20~Fc(oH)3+3HC1              (4△1)

   在⒏o2的蝕刻中也常用BOE溶液來做濕法蝕刻,BOE是HF、NH4F和比0按照一定比例混合而成。其反應(yīng)方程式為:

   si02+6HF一H2+siF6+2H20

   NH4F~NH3+HF

   式(⒋13)中NH4F起緩沖劑的作用,用于調(diào)整溶液中HF的平衡。

一般而言,濕法蝕刻成本低廉,易于批量生產(chǎn),但是其蝕刻后的線條不夠精細(xì),工藝控制不佳,很容易產(chǎn)生過蝕刻或者蝕刻不完全等異常。