晶圓摻雜物的再分布：氧化過的硅表面總是有雜質(zhì)，在開始生產(chǎn)的硅晶圓卜， 一般被摻雜為N型=導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。在以后的工

藝中，晶圓表面用擴(kuò)散或離子注入工藝完成摻雜．摻雜元素和濃度都對(duì)氧化牛長(zhǎng)率有影響。例如，A29040BL-70F在經(jīng)過高濃度的磷摻雜后的表面上，氧化層比在其他層上生長(zhǎng)的氧化層的密度低。這些磷摻雜的氧化層被刻蝕得更快，并且由于光刻膠的脫落及快速的鉆蝕現(xiàn)象的存在，使得刻蝕工藝更加難做，面臨一個(gè)新的挑戰(zhàn)。

   另一個(gè)對(duì)氧化生長(zhǎng)率有影響的是氧化完成后，在硅中摻雜原子的分布引1�；仡櫾跓嵫趸�時(shí)，氧化層長(zhǎng)人晶圓。問題是“在硅轉(zhuǎn)化成二

氧化硅后，摻雜原子發(fā)生了什么？”，答案取決于摻雜物的傳導(dǎo)類型。N型摻雜物，如磷、砷、銻，它們?cè)诠柚斜仍诙趸柚杏懈叩娜芙舛榷�，�?dāng)前面的氧化層碰到它們時(shí)，它們將進(jìn)人品圓里。在硅及二氧化硅之間，就像鏟雪機(jī)推一個(gè)大雪堆一樣。結(jié)果就是，N型摻雜物在硅及二氧化硅之間比在晶圓里有更離的濃度，稱之為“堆積”( pile-up)。

   當(dāng)摻雜物是P型材料的硼元素時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生相反的結(jié)果．，硼原子被拉入二氧化硅層，導(dǎo)致在交界處的硅原子被硼原子消耗盡，稱之為“耗盡”( depletion)。堆積和消耗這兩種不同作用的結(jié)果，會(huì)顯著地影響器件的電特性。堆積和消耗對(duì)于摻雜濃度的精確影響，將在第17章中說明？