在這f‘年中，潔凈間的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行得到r提高， A7800并出現(xiàn)了離子注入機(jī)，用于高質(zhì)量掩模版的電子束( e-beam)機(jī)，以及用于晶圓光刻掩模步進(jìn)式光刻機(jī)(Stepper)開(kāi)始出現(xiàn)。

   工藝過(guò)程的自動(dòng)化從旋轉(zhuǎn)涂膠／烘焙和顯影／烘焙開(kāi)始，從操作員控制發(fā)展到工藝過(guò)程的自動(dòng)控制提高r產(chǎn)量和產(chǎn)品的一致性。

   20世紀(jì)80年代的焦點(diǎn)是如何從生產(chǎn)區(qū)域取消操作工和如何實(shí)現(xiàn)晶圓制造、封裝的全程自動(dòng)化，、自動(dòng)化提高了制造效率，使加工失誤減到最小，并保持晶圓制造區(qū)更少的沾污。300 mm的晶圓在20世紀(jì)90年伐被引入，進(jìn)一步促進(jìn)了對(duì)自動(dòng)化晶廠的需求（見(jiàn)第4章和第15章）、

   20世紀(jì)80年代的10年以美國(guó)和歐洲占統(tǒng)治地位開(kāi)始，以半導(dǎo)體成為全球產(chǎn)業(yè)而結(jié)束j從20世紀(jì)70到80年代，1肌m特征圖形尺寸的障礙顯示了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。機(jī)遇是指，這會(huì)是一個(gè)具有極高的速度和存儲(chǔ)能力自‘萬(wàn)芯片的紀(jì)元。挑戰(zhàn)是指?jìng)鹘y(tǒng)光刻由于新增層、更大的晶

圓表面臺(tái)階高度變化和晶圓直徑增大造成的局限。lm的障礙是在20世紀(jì)90年初期被突破的，50%的微芯片生產(chǎn)線在生產(chǎn)微米級(jí)和低于微米級(jí)的產(chǎn)品7。

   產(chǎn)業(yè)發(fā)展到成熟時(shí)期，就會(huì)將更多傳統(tǒng)上的重點(diǎn)放在生產(chǎn)和市場(chǎng)問(wèn)題上一早期的盈利策略是走發(fā)明的途徑，也就是總要把最新和最先進(jìn)的芯片搶先推向市場(chǎng)，以獲得足夠的可支付研發(fā)和設(shè)計(jì)費(fèi)用的利潤(rùn)。這種策略帶來(lái)的利潤(rùn)可以克服良品率和低效率的問(wèn)題。工藝控制r.的技術(shù)（競(jìng)爭(zhēng)）和改進(jìn)把更多工業(yè)的熏點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了產(chǎn)品問(wèn)題上。，個(gè)主要的產(chǎn)能因素是：自動(dòng)化、成本控制、工藝特性化與控制，以及人員效率（見(jiàn)第15章），、