用來(lái)控制每個(gè)液晶單位是否偏扭轉(zhuǎn)及偏轉(zhuǎn)的角度大小。其上下夾層的電極為FET電極和共通電極,在FET電極導(dǎo)通時(shí),液晶分子排列狀態(tài)發(fā)生偏轉(zhuǎn), HD44100H這樣可通過(guò)遮光和透光達(dá)到顯示的目的。

   該工序主要用于制造TFT基板及彩色濾光片(CF基板),流程如下:

玻璃清洗一→成膜-→清洗一→光刻膠涂布一→曝光一→刻蝕一→光刻膠剝離一→清洗一→測(cè)試TFT的制造過(guò)程如圖6-108所示,分堅(jiān)膜、清洗、Photo、刻蝕、脫膜、檢測(cè)六大工序。

   堅(jiān)膜工序

   堅(jiān)膜工序如圖6-109所示,是指對(duì)Ga坨電極、D扯a(“urcc/I,rain)電極、像素電極、絕緣膜、保護(hù)膜以及半導(dǎo)體膜,以物理或化學(xué)方法,使其在Glass(玻璃)上形成膜的工序。Gatc電極、Data(⒌urce/Dr缸n)電極、像素電極是金屬物原(鋁、鉻、IT0、鉬),利用跏utteⅡng(濺射)物理方法,在%rget(主要是金屬)和Glass之間的Plasma(離子區(qū)),將Ta喟et物質(zhì)貼在GIass上。Plasma(離子區(qū))是在兩個(gè)電極之間注人的不活性Gas上施加高電壓,從而離子化生成的。離子化的不活性Gas在Target上沖擊,脫掉的Target物質(zhì)移到αass而形成膜。

   絕緣膜、保護(hù)膜、半導(dǎo)體膜是利用化學(xué)方式的PECⅤD(Plasma Enhanced Che而∞lⅤ扯por Depo⒍tion)工序,即利用在兩個(gè)電極之間注人Gas之后施加高頻率電源而生成的Pla⒌ma(等離子),在Gla$上生成膜的方式。