氣體放電過程
發(fā)布時(shí)間:2016/10/20 22:49:58 訪問次數(shù):523
№一Xe混合氣體在一定外部電壓作用下產(chǎn)生氣體放電時(shí),氣體內(nèi)部最主要反應(yīng)是Ne原子的直接電離:
e +Ne =Ne +2e
其中Ne+為氖離子。由于受AD6633BBCZ到外部條件或引火單元激發(fā),氣體內(nèi)部已存在少量放電粒子。其中電子被極間電場(chǎng)加速并達(dá)到一定動(dòng)能,碰撞Ne+使其電離,導(dǎo)致氣體內(nèi)部自由電子增殖,形成電離雪崩效應(yīng)。雪崩過程中會(huì)大量產(chǎn)生以下兩體碰撞反應(yīng):
e+Ne=Ne++2c(電子碰撞電離)
e+Ne=Nem+e(亞穩(wěn)態(tài)激發(fā))
e+Xe=Ⅹc++2e(電子碰撞電離)
其中Nem為亞穩(wěn)態(tài),與Ⅹe碰撞發(fā)生Penning(潘寧)電離反應(yīng):
Ne +Ⅹe=Ne+Xe +e它發(fā)生的概率很高,從而提高了氣體的電離截面,加速了Nem消失和Ⅹe原子的電離雪崩。這種反應(yīng)的電壓比直接電離反應(yīng)的電壓要低,從而降低了顯示器件的工作電壓。
與此同時(shí),被加速的電子與Ⅹe+發(fā)生碰撞,產(chǎn)生激發(fā)態(tài)的Ⅹe米衤,Xe艸艸不穩(wěn)定,極易從較高能級(jí)躍遷到較低能級(jí),產(chǎn)生Xe林(1%),與周圍分子互相碰撞,發(fā)生能量轉(zhuǎn)移,轉(zhuǎn)化為Xe原子的諧振激發(fā)能級(jí)。反應(yīng)過程如下:
e+Ⅹe→Ⅹe#絮(2p5或2p6)+九v
Xe¨(2R或2R)→Xc槳衤(1%或1s5)+櫪(8⒛nm,828nm)
Xe原子1S4能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到Xe的基態(tài)時(shí),就發(fā)生共振躍遷,產(chǎn)生使PDP發(fā)光的1紹nm的紫外光。
№一Xe混合氣體在一定外部電壓作用下產(chǎn)生氣體放電時(shí),氣體內(nèi)部最主要反應(yīng)是Ne原子的直接電離:
e +Ne =Ne +2e
其中Ne+為氖離子。由于受AD6633BBCZ到外部條件或引火單元激發(fā),氣體內(nèi)部已存在少量放電粒子。其中電子被極間電場(chǎng)加速并達(dá)到一定動(dòng)能,碰撞Ne+使其電離,導(dǎo)致氣體內(nèi)部自由電子增殖,形成電離雪崩效應(yīng)。雪崩過程中會(huì)大量產(chǎn)生以下兩體碰撞反應(yīng):
e+Ne=Ne++2c(電子碰撞電離)
e+Ne=Nem+e(亞穩(wěn)態(tài)激發(fā))
e+Xe=Ⅹc++2e(電子碰撞電離)
其中Nem為亞穩(wěn)態(tài),與Ⅹe碰撞發(fā)生Penning(潘寧)電離反應(yīng):
Ne +Ⅹe=Ne+Xe +e它發(fā)生的概率很高,從而提高了氣體的電離截面,加速了Nem消失和Ⅹe原子的電離雪崩。這種反應(yīng)的電壓比直接電離反應(yīng)的電壓要低,從而降低了顯示器件的工作電壓。
與此同時(shí),被加速的電子與Ⅹe+發(fā)生碰撞,產(chǎn)生激發(fā)態(tài)的Ⅹe米衤,Xe艸艸不穩(wěn)定,極易從較高能級(jí)躍遷到較低能級(jí),產(chǎn)生Xe林(1%),與周圍分子互相碰撞,發(fā)生能量轉(zhuǎn)移,轉(zhuǎn)化為Xe原子的諧振激發(fā)能級(jí)。反應(yīng)過程如下:
e+Ⅹe→Ⅹe#絮(2p5或2p6)+九v
Xe¨(2R或2R)→Xc槳衤(1%或1s5)+櫪(8⒛nm,828nm)
Xe原子1S4能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到Xe的基態(tài)時(shí),就發(fā)生共振躍遷,產(chǎn)生使PDP發(fā)光的1紹nm的紫外光。
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