發(fā)光機(jī)理
發(fā)布時(shí)間:2016/10/21 18:47:19 訪問次數(shù):917
能帶理論模型如圖8-7所示,相對(duì)晶體固體的能帶模型來(lái)說(shuō):
在多原子分子中,由各原OPA124UA子軌道按一定規(guī)律線性組合形成分子軌道時(shí),會(huì)形成成鍵軌道和反鍵軌道。多個(gè)成鍵軌道或反鍵軌道之間交疊、簡(jiǎn)并而形成電子能帶。其中,成鍵軌道中最高被占據(jù)分子軌道(Ⅲghe呲Occuued Mdecular Orbits)乘坐HoM0,反鍵軌道中最低未被占據(jù)分子軌道(Lowe哎Un【,ccu∮ed Mdecular Orbits)稱作LUM0。相應(yīng)地,可以把有機(jī)半導(dǎo)體中的成鍵軌道看作是無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的價(jià)帶,反鍵軌道看作是導(dǎo)帶,將分子的LUM0對(duì)應(yīng)于導(dǎo)帶底,H0M0能級(jí)對(duì)應(yīng)于價(jià)帶頂。這樣就可以將電子和空穴在各層之間的運(yùn)動(dòng)看作是在能帶間穿越一定勢(shì)壘的運(yùn)動(dòng)。因此,一般情況下可借助半導(dǎo)體物理學(xué)的能帶理論來(lái)處理涉及有機(jī)半導(dǎo)體的光學(xué)和電學(xué)行為問題。帶隙Eg是H0M0與LUMo之間的寬度,離化能;幾是真空能級(jí)與HoM0之間的能量差;電子親和勢(shì)εa是真空能級(jí)與LUMo之間的能量差。三層結(jié)構(gòu)0LED的能帶圖如圖8-8所示。
能帶理論模型如圖8-7所示,相對(duì)晶體固體的能帶模型來(lái)說(shuō):
在多原子分子中,由各原OPA124UA子軌道按一定規(guī)律線性組合形成分子軌道時(shí),會(huì)形成成鍵軌道和反鍵軌道。多個(gè)成鍵軌道或反鍵軌道之間交疊、簡(jiǎn)并而形成電子能帶。其中,成鍵軌道中最高被占據(jù)分子軌道(Ⅲghe呲Occuued Mdecular Orbits)乘坐HoM0,反鍵軌道中最低未被占據(jù)分子軌道(Lowe哎Un【,ccu∮ed Mdecular Orbits)稱作LUM0。相應(yīng)地,可以把有機(jī)半導(dǎo)體中的成鍵軌道看作是無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的價(jià)帶,反鍵軌道看作是導(dǎo)帶,將分子的LUM0對(duì)應(yīng)于導(dǎo)帶底,H0M0能級(jí)對(duì)應(yīng)于價(jià)帶頂。這樣就可以將電子和空穴在各層之間的運(yùn)動(dòng)看作是在能帶間穿越一定勢(shì)壘的運(yùn)動(dòng)。因此,一般情況下可借助半導(dǎo)體物理學(xué)的能帶理論來(lái)處理涉及有機(jī)半導(dǎo)體的光學(xué)和電學(xué)行為問題。帶隙Eg是H0M0與LUMo之間的寬度,離化能;幾是真空能級(jí)與HoM0之間的能量差;電子親和勢(shì)εa是真空能級(jí)與LUMo之間的能量差。三層結(jié)構(gòu)0LED的能帶圖如圖8-8所示。
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