LED芯片由多層不同性質(zhì)的半導(dǎo)體薄層材料相疊,并在最頂層及最底層分別制作正負(fù)金屬電極, M29W160ET70N6E稱該類為垂直結(jié)構(gòu)LED,如圖⒋1所示。也可使用光刻工藝在p型層表面挖溝槽至n型層,將正、負(fù)金屬電極制作在同一表面,稱該類為平面結(jié)構(gòu)LED,如圖⒋2所示。

   LED誕生的初期采用最為簡(jiǎn)單的同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),在礦型半導(dǎo)體襯底上外延生長(zhǎng)礦型材料,之后再在其上生長(zhǎng)p型材料,也可在礦型材料上p型摻雜擴(kuò)散形成少礦結(jié)。由于⒉礦結(jié)的耗盡區(qū)主要集中在p型層,即發(fā)光區(qū)主要在p型層,為了減少光子吸收,p型層的厚度較薄,約為數(shù)個(gè)微米左右。