ICP刻蝕。ICP刻蝕即感應(yīng)耦合等離子體刻蝕,是利用氣體輝光放電產(chǎn)生的高密度等離子JANTX2N7225體轟擊材料表面進(jìn)行刻蝕的技術(shù)。利用ICP技術(shù),以光刻膠為掩膜刻蝕G扒夕卜延片,獲得裸露的n~GaN層,圖5-”白色圖形區(qū)域為p-GaNI層,其余區(qū)域為裸露出的ll C・aXT層。

   圖形光刻電極。金屬電極的圖形光刻過程與光刻ITO過程相同,不同的是在這一過程采用光刻負(fù)膠,曝光過程所使用的掩膜板圖形見圖5-23,灰色區(qū)域顯示為光刻膠去除部分,其余為光刻膠保護(hù)部分。顯影后的圖形如圖5-z所示,圓形部分和扇形部分為裸露區(qū)域,其余部分受光刻膠保護(hù)。