實(shí)用化的LED均為雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)LED(Doub⒗Hctcro-structurc,簡稱為DH-LED)或量子阱結(jié)構(gòu)LED(QuantLlm Wc11,簡稱為QWˉLED)°

   典型的DH乇ED器件結(jié)構(gòu)如圖⒋5所示,在n型襯底(基板)上外延生長n型過渡層以便減少DH層的缺陷, M4T11MH6過渡層上依次生長寬禁帶的N型層(下限制層)、窄禁帶的低摻雜p型層(有源區(qū)、主動(dòng)區(qū))、寬禁帶的P型層(上限制層),以上三層構(gòu)成NpP雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)類似于“三明治”,發(fā)光的區(qū)域僅限于夾在兩個(gè)寬禁帶材料中央很薄的窄禁帶材料中。再在P型層之上生長高摻雜的頂層(Cap laycr,稱為帽層),該層的作用:為金屬電極與半導(dǎo)體材料間提供低電阻及高可靠性的歐姆接觸、控制通過有源區(qū)的電流分布。最后分別在p型頂層上部和n型襯底下部制作正負(fù)金屬電極。注意:這里以大寫字母代表寬禁帶材料,以小寫字母代表窄禁帶材料。