為減少光子再吸收,p-n結(jié)的p型層較薄,正向偏壓下由n區(qū)擴(kuò)散至p區(qū)的電子容易擴(kuò)散至p區(qū)表面,M4A3-32/32-5VC半導(dǎo)體表面的缺陷密度遠(yuǎn)高于內(nèi)部。這些缺陷導(dǎo)致間接復(fù)合系數(shù)的增加,從而也將降低LED的內(nèi)量子效率。

   如(1)所述,由于過剩少數(shù)載流子的擴(kuò)散,發(fā)光區(qū)域除耗盡層外,還包括耗盡層兩側(cè)的若干區(qū)域。由于同質(zhì)結(jié)兩側(cè)材料的禁帶寬度一致,整個LED芯片區(qū)都將發(fā)生光子的再吸收現(xiàn)象,當(dāng)內(nèi)量子效率低于90%時,必須考慮光子再吸收對LED光效降低的影響。