與同質結LED相比,DH-LED具有以下優(yōu)勢:

   (1)在超注入、高的電M51978FP子/空穴注入比極高的pP結電子有效勢壘綜合作用下,能在較小的正向偏壓作用(即較小的注入電流密度)下就可維持有源區(qū)過剩載流子的高濃度狀態(tài),從而保證了內(nèi)量子效率遠高于同質結。

   (2)發(fā)光區(qū)集中在p型層,且其厚度遠低

   于電子的擴散長度,光子再吸收的概率低于同質結。

   (3)P區(qū)與N區(qū)的禁帶寬度均大于發(fā)光的

   p區(qū),故p區(qū)發(fā)出的光子進入到N、P兩區(qū)后滿足透明條件,可以無吸收的傳輸。由于實際LED中P、N兩區(qū)的體積遠遠大于p區(qū),該部分吸收的減少對提高LED的發(fā)光效率作用明顯。當然,DH結構也有弱點,如p型層的折射率高于N、P兩層,形成了光波導效應,僅有反射角小于全反射角的光子才可以折射至N、P兩區(qū),這將引起出光效率(也叫光萃取效率)的降低,從而導致DH-LED發(fā)光效率的降低。故在設計DH結構時,應考慮使p型層與N、P兩層的折射率差不宜過大。該部分內(nèi)容可參見本書第5.5節(jié)內(nèi)容。