由圖可見,p-n在正向偏壓電壓小于開啟電壓/TH時(shí),電流近乎為0,正向偏壓大于開啟電壓/TH時(shí),電流隨電壓的增大而急劇增加。串聯(lián)電阻減緩了電流隨正向偏壓的變化率, LM2903DR而等效并聯(lián)電阻抬高了開啟電壓前的⒈V特性的電流隨正向偏壓電壓的變化率,需要注意 的這部分電流并不產(chǎn)生光輻射。還有一種情況如圖⒋12右圖所示,在接近開啟電壓/TH前有一段電流隨正向偏壓電壓變化而較緩增加,稱此段為亞臨界驅(qū)動(dòng)(sub△hreshold Tum-on)段。理想LED的等效并聯(lián)電阻為無窮大,實(shí)際LED等效并聯(lián)電阻不為無窮大的原因?yàn)橛性磪^(qū)內(nèi)存在線位錯(cuò)缺陷。在使用過程中發(fā)生的等效并聯(lián)電阻減小的原因多由靜電損傷引起,靜電沿GaN有源區(qū)內(nèi)線位錯(cuò)缺陷放電產(chǎn)生了部分阝n結(jié)區(qū)域的漏電通路,隨著時(shí)間的推移或更大的靜電放電將使漏電通路擴(kuò)展至整個(gè)結(jié)區(qū),造成LED性能劣化、壽命大幅降低甚至壽命終結(jié),詳見6.33節(jié)。

   反向偏壓下,實(shí)際發(fā)光二極管的⒈V特性也不同于理想發(fā)光二極管,反向電流隨反向偏壓的增加緩慢增加,當(dāng)反向偏壓達(dá)到某一電壓‰后,則反向電流隨反向偏置電壓的增大而急劇增加,稱此現(xiàn)象為擊穿,‰為擊穿電壓。Ⅲ-V化合物發(fā)光二極管的擊穿電壓在幾伏 特至幾十伏特范圍,故在制作、運(yùn)輸、應(yīng)用諸環(huán)節(jié)均應(yīng)注意反向擊穿造成的損傷。LED的I-V特性可由晶體管圖示儀等儀器實(shí)時(shí)測(cè)量,通過對(duì)I-V特性的分析,可以幫助我們對(duì)LED的電參數(shù)、品質(zhì)、可靠性、故障原因等進(jìn)行分析判斷。