自光LED光源器件根據(jù)制作過(guò)程可分為前段材料生長(zhǎng),中段芯片制備和后段器件封裝,如圖5-2所示。A1104EUA-T前段過(guò)程包括襯底和外延片的生產(chǎn)與制造,這是整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)鏈的制高點(diǎn),也是實(shí)現(xiàn)白光LED照明的起點(diǎn)。外延生長(zhǎng)是指在單晶襯底上生長(zhǎng)與襯底材料具有相同或相近結(jié)晶學(xué)取向的薄層單晶的過(guò)程。襯底是支撐外延薄膜的基底,GaAs基LED和AlGaInP基LED大都采用G扒s基底,而白光LED應(yīng)用中的GaN基LED則主要利用藍(lán)寶石、碳化硅和單晶硅等異質(zhì)襯底。芯片的設(shè)計(jì)和制造包括了蒸鍍、光刻、研磨切割等過(guò)程, 其工藝的發(fā)展直接決定了白光LED的性能。在芯片的△藝中,主要包括常規(guī)芯片(Cc,nⅤclltional Chip,CC),倒裝芯片(Flip Chip,FC),垂直薄膜(Vc⒒ical Thin∏lm,VTF)和薄膜倒裝芯片(Thin FⅡm FⅡChip,TFFC)。而器件與模塊封裝則是實(shí)現(xiàn)LED從芯片走向最終產(chǎn)品所必需的中間環(huán)節(jié),也是LED芯片與熒光材料相匹配實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射的關(guān)鍵步驟。在封裝過(guò)程中,熒光粉作為關(guān)鍵材料之一,直接影響白光LED的光效、顯色指數(shù)、光譜能量分布等,通過(guò)調(diào)整熒光材料的種類(lèi)和用量,可以獲得不同色溫的白光。