反應(yīng)方程式如下:

   低溫區(qū)(800~900℃)反應(yīng):Ga(l)+HCl(g)→GaCl(g)+1/2H2(g)

高溫區(qū)(10O0~l100℃)反應(yīng):Gacl(g)+NH3(g)→GaN(s)+HCl(g)+H2(g)在異質(zhì)外延生長中, H9TP26A8JDACNR-KGM由于晶格失配和熱失配問題導(dǎo)致GaN夕卜延層存在較大的應(yīng)力和較高的的位錯密度。為了提高GaN基半導(dǎo)體材料的質(zhì)量,最好的方法是采用GaN同質(zhì)襯底進(jìn)行外延生長。自支撐G瘀襯底是利用HVPE技術(shù)在藍(lán)寶石或其他襯底材料上,快速生長成厚GaN膜(丬O0um),然后利用機械拋光或激光剝離技術(shù)去掉藍(lán)寶石襯底,形成厚膜C.aN襯底。

   金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)

   金屬有機化學(xué)氣相沉積又被稱為金屬有機氣相外延(MOVPE,Metal organicˇ即orPhase Epitaxy),是一種非平衡生長技術(shù),利用Ⅲ族(或Ⅱ族)金屬有機化合物熱分解后與V族(或Ⅵ族)氫化物反應(yīng),在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族,Ⅱ-Ⅵ族化合物半

導(dǎo)體及其多元固溶體的薄層單晶材料。