氣體供給系統(tǒng)前驅(qū)體反應(yīng)氣,包括Ⅲ族金屬有機化 H9TP26A8JDACNR-KGM合物、V族氫化物及摻雜源等一般放置于不銹鋼瓶中(見圖5-12位置①)。

   反應(yīng)室和加熱系統(tǒng) MOCVD系統(tǒng)反應(yīng)室由石英管和石墨基座組成(見圖中位置②、③和④),加熱方式采用高頻感應(yīng)加熱。反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)對制備組分均勻的高質(zhì)量外延薄膜起到至關(guān)重要的作用,因此在當(dāng)前的MOCⅤD系統(tǒng)設(shè)各制造中對反應(yīng)室有不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計。石墨基座由高純石墨制成,并包覆⒏C層。

   與其他外延生長技術(shù)相比,MOCVD適用范圍廣泛,能夠制備大部分的化合物及合金半導(dǎo)體,目前已經(jīng)被廣泛地用于LED外延片的制造中。MOCVD生長易于控制外延薄膜厚度,適宜于生長各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料,能夠制備大面積均勻性良好的薄膜。