(1)平衡冷卻法。當(dāng)溫度達H9TP65A8JDACPR-KGM到rl時,溶液剛好達到飽和,將襯底與溶液接觸,即在接觸的瞬間兩者處于平衡狀態(tài),然后以恒定的降溫速率進行冷卻生長。

   (2)分步冷卻法。如果飽和溶液能夠承受一定程度的過冷(低于溫度而不出現(xiàn)自發(fā)結(jié)晶,則可采用分步冷卻法進行外延薄膜的生長。這種工藝先使溶液在溫度rl下飽和,然后將襯底與溶液接觸,并迅速冷卻到低于rl的某一溫度,然后保持溫度不變,過飽和溶液在接觸到襯底后溶質(zhì)析出,成核生長。

   (3)過冷法。過冷法是平衡冷卻和分步冷卻的結(jié)合,即襯底與飽和溶液接觸后溫度先降至低于「l的某一溫度,然后保持恒定的降溫速率進行薄膜生長。過冷法增大了溶質(zhì)成核的驅(qū)動力,能夠有效地改善薄膜的表面形貌、完整性和厚度均勻性。

   (4)兩相溶液法。兩相法主要針對溶質(zhì)在溶液中的溶解度較低或揮發(fā)性較高,難以維持溶液足夠飽和度的情況,在整個外延生長過程中,溶液中或溶液上方一直放置前驅(qū)物源片,用以補充溶液中溶質(zhì)的損耗,自動調(diào)節(jié)溶液處于一定的飽和度。例如在hGaAsP/InP異質(zhì)結(jié)的液相外延生長中,P在In溶劑中的溶解度很小且揮發(fā)蒸氣壓很高,因此采用兩相法在飽和溶液上方懸浮InP以補充P的損耗,保持溶液一定的飽和度。與其他外延技術(shù)相比,液相外延生長技術(shù)的優(yōu)點包括:①生長設(shè)備簡單可靠,使用簡便;②外延薄膜的組分和厚度可精確控制,且重復(fù)性好;③外延層生長速率較快,一般為0,1~2ullvmin;④易于生長純度很高的單晶外延薄膜;⑤摻雜劑選擇范圍較大,只要求具有一定的溶解度和較小的飽和蒸氣壓;⑥外延層晶體結(jié)構(gòu)較好,位錯密度較低。但是液相外延技術(shù)最大的不足之處是當(dāng)襯底與外延層材料晶格失配大于1%時,外延生長很困難(氣

相外延允許晶格失配超過10%)。