前烘:使光刻膠的溶劑揮發(fā),用于改善光刻膠與樣品表面的黏附性。前烘是光JANTX2N6849刻的一道關鍵工序,前烘條件的選擇,對光刻膠溶劑的揮發(fā)量和光刻膠的黏附特性、曝光特性、顯影特性等都有較大的影響。曝光:將掩膜板(光刻板)置于ITO透明電極上方,用紫外光進行曝光,曝光的區(qū)域發(fā)生化學變化。圖5-20所示是掩膜板圖形示意圖,灰色圖形區(qū)域為膠膜遮擋保護部分。

   顯影:顯影是用溶劑去除未曝光部分(負膠)或曝光部分(正膠)的光刻膠。在外延片表面形成所需的圖形。在GaN基LED芯片制造中,用顯影液除去應刻蝕掉部分的光刻膠(正膠),以獲得腐蝕時由膠膜保護的圖形(見圖5-21自色圖形區(qū)域)。 堅膜(后烘):顯影時膠膜會發(fā)生軟化、膨脹,堅膜的目的是去除顯影后膠層內殘留的溶劑,使膠膜更堅固,提高光刻膠的黏附力和抗腐蝕性。

  腐蝕:用36%~38%的鹽酸腐蝕ITO透明電極層以獲得相應的圖形。