納米壓印技術(shù)也同樣用于芯片的表面粗化,在艸GaN層表面形成二維光子晶體結(jié)構(gòu)。H W Huallg等人利用納米壓印技術(shù)和ICP刻蝕獲得了G48101DL-R具有納米孔洞結(jié)構(gòu)的藍寶石襯底表面(見圖5-43(a))和二維雙十二重準(zhǔn)晶光子晶體結(jié)構(gòu)的少GaN層表面(見圖5-43(c))。結(jié)果表明,⒛lllA驅(qū)動電流下由納米孔洞藍寶石襯底和二維光子晶體的p-GaN層表面構(gòu)成的LED芯片,輸出功率分別提高34%和61%。芯片出光面(阝GaN層)的二維光子晶體微結(jié)構(gòu)具有更高的光散射效應(yīng),從而極大地提高了芯片的光提取效率。