芯片模型
發(fā)布時間:2016/11/10 22:13:47 訪問次數(shù):918
(l)芯片模型
從LED芯片發(fā)光的理論模型中可知, HDG-0605光子離開LED芯片表面時的出射點在芯片表面上隨機分布,且在芯片的六個面均有不同程度的出射,但芯片外圍的反光碗會改變從LED芯片邊緣出射的光子路徑,囚而可以用一個立方體表示LED的芯片,設(shè)定該立方體的一個 面為發(fā)光源,發(fā)光點在該面上隨機分布。也就是說,將芯片六個面的發(fā)光特性集中定義在其一個面上,這樣既可以加快光線追跡效率又能有足夠的準確度。定義該發(fā)光面出射的光線的角度分布符合朗伯余弦定律。其光強分布如圖⒍11所示。
(2)反光碗模型
由于LED發(fā)光芯片己構(gòu)成標準的體光源,反光碗的面積相對來說非常小,囚此本文采用日前通用的分段直線反光碗模型。反光碗的材料應(yīng)有較高的反射率,將由其對應(yīng)的反射和漫射指數(shù),以及它作為高斯散射體的參數(shù)σ值來定義。LED封裝的一次光學系統(tǒng)設(shè)計 還必須確定反光碗的大小和位置參數(shù),用底部直徑、頂部直徑、外徑、臺基厚度和碗深來表示其形狀和大小。
(3)環(huán)氧樹脂模型
LED封裝后的外形由一個柱面和一個半球面(實際上是二次曲面)組成,較長的環(huán)氧樹脂柱面是它的一個顯著特點。這就是目前流行的炮彈形LED,這種外形制造方便,得到了廣泛使用。
(l)芯片模型
從LED芯片發(fā)光的理論模型中可知, HDG-0605光子離開LED芯片表面時的出射點在芯片表面上隨機分布,且在芯片的六個面均有不同程度的出射,但芯片外圍的反光碗會改變從LED芯片邊緣出射的光子路徑,囚而可以用一個立方體表示LED的芯片,設(shè)定該立方體的一個 面為發(fā)光源,發(fā)光點在該面上隨機分布。也就是說,將芯片六個面的發(fā)光特性集中定義在其一個面上,這樣既可以加快光線追跡效率又能有足夠的準確度。定義該發(fā)光面出射的光線的角度分布符合朗伯余弦定律。其光強分布如圖⒍11所示。
(2)反光碗模型
由于LED發(fā)光芯片己構(gòu)成標準的體光源,反光碗的面積相對來說非常小,囚此本文采用日前通用的分段直線反光碗模型。反光碗的材料應(yīng)有較高的反射率,將由其對應(yīng)的反射和漫射指數(shù),以及它作為高斯散射體的參數(shù)σ值來定義。LED封裝的一次光學系統(tǒng)設(shè)計 還必須確定反光碗的大小和位置參數(shù),用底部直徑、頂部直徑、外徑、臺基厚度和碗深來表示其形狀和大小。
(3)環(huán)氧樹脂模型
LED封裝后的外形由一個柱面和一個半球面(實際上是二次曲面)組成,較長的環(huán)氧樹脂柱面是它的一個顯著特點。這就是目前流行的炮彈形LED,這種外形制造方便,得到了廣泛使用。
上一篇:光強的空間分布
上一篇:LED二次光學設(shè)計
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