對(duì)于反激式AC/DC LED驅(qū)動(dòng)電源而言,每當(dāng)功RDA5807NP率MOSFET由導(dǎo)通變成截止時(shí),在一次繞組上會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓。其中的尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感形成的,它與直流高壓I/和感應(yīng)電壓疊加在MOsFET的漏極上,很容易損壞MOsFET。因此,增加漏極鉗位保護(hù)電路,對(duì)尖峰電壓進(jìn)行鉗位或吸收十分重要。

   MOsFET漏極上各參數(shù)的電位分布

   下面分析輸入直流電壓的最大值I/Imax、一次繞組的感應(yīng)電壓瓏小鉗位電壓%與I/:lr、最大漏極電壓已‰1ax、漏一源擊穿電壓吼㈣D.s這6個(gè)電壓參數(shù)的電位分布。對(duì)于ToPs誦tch―XX系列單片開關(guān)電源,其功率開關(guān)管的漏一源擊穿電壓∝賀lDs≥700V,現(xiàn)取下限值700V。感應(yīng)電壓已l衄=135V(典型值)。本來鉗位二極管的鉗位電壓%只需取135V,即可將疊加在ζα上由漏感造成的尖峰電壓吸收掉,實(shí)際卻不然。手冊(cè)中給出的%參數(shù)值僅表示工作在常溫、小電流情況下的數(shù)值。實(shí)際上鉗位二極管(即瞬態(tài)電壓抑制器TVs)還具有正向溫度系數(shù),它在高溫、大電流條件下的鉗位電壓已‰彳要遠(yuǎn)高于%。