以上兩個公式表明,這類材料的電流取決于材料的厚度。實際上,在高電壓時,一般AD8539ARZ-REEL7注入的電荷載流子密度大于990,貝刂該電流定律就變得適用,它與歐姆定律之間存在偏差。相反,pn結(jié)的常規(guī)導(dǎo)電性是由本征和非本征載流子(來自于摻雜)形成的。空穴輸運在低能級上完成,所以空穴對因氧氣等環(huán)境因素而產(chǎn)生的陷阱不敏感。例如, PPV中空穴的輸運不受陷阱的限制。相反,電子對距離較近的這類陷阱敏感總是變現(xiàn)為彌散輸運行為。最切實可行的陷阱分布描述方式是緊鄰電子導(dǎo)帶處的數(shù)學(xué)指數(shù)描述。此時,陷阱的態(tài)密度刀`rEl具有玻爾茲曼分布的特征:

    此情況下,由于能隙很高,材料自身的本征載流子與注入的載流子相比可以忽略;與無序理論相同的是,還假設(shè)陷阱較淺。/rO表示電場為0時的遷移率。該模擬結(jié)果沒有對空間電荷積分,無需相關(guān)的假設(shè),很好地解釋了J∝/⒒l的電流分布,完美地反應(yīng)了器件與厚度的關(guān)系,尤其是電流恒定和高指數(shù)時//〃2比值的穩(wěn)定性。其他的研究小組在保留了sCLC理論的有效性,并且將遷移率與電場的關(guān)系也包含在內(nèi),Campbc11等人提出了下面的模型:

   OLED理論研究的突破之處在于正確描述器件表現(xiàn)出的電光特性,但是目前仍然不精確。最初人們猜想注入式OLED效率的限制因素,但是研究發(fā)現(xiàn)熱離子注入被認為是效率的限制因素,原因是交界面處的勢壘較低,所以電流受空間電荷而不是注入的限制。