OLED材料
發(fā)布時(shí)間:2016/11/15 22:18:13 訪問(wèn)次數(shù):1947
光的顏色與材料有關(guān)。一種方AD8541ARTZ-REEL7法是用小分子層工作,例如鋁氧化物;另一種方法是將激活的色素嵌入聚合物長(zhǎng)鏈,這種聚合物非常容易溶化,可以制成涂層。制備oLED的材料種類(lèi)很多,主要分為陽(yáng)極材料、陰極材料、緩沖層材料、載流子傳輸材料和發(fā)光材料等幾大類(lèi)。
陰極材料
OLED的陰極材料主要做器件的陰極之用,為提高電子的注入效率,應(yīng)該選用功函數(shù)盡可能低的金屬材料,因?yàn)殡娮拥淖⑷氡瓤昭ǖ淖⑷腚y度要大些。金屬功函數(shù)的大小嚴(yán)重影響著OLED器件的發(fā)光效率和使用壽命,金屬功函數(shù)越低,電子注入就越容易,發(fā)光效率就越高;此外,功函數(shù)越低,有機(jī)/金屬界面勢(shì)壘越低,工作中產(chǎn)生的焦耳熱就會(huì)越少,器件壽命就會(huì)有較大的提高。
(1)單層金屬陰極,如Ag、Al、Ⅱ、Mg、Ca、h等。它們?cè)诳諝庵泻苋菀妆谎趸?致使器件不穩(wěn)定、使用壽命縮短,因此選擇合金做陰極或增加緩沖層來(lái)避免這一問(wèn)題。
(2)合金陰極:為了既能提高器件的發(fā)光效率,又能得到穩(wěn)定的器件,通常采用金屬合金作為陰極。在蒸發(fā)單一金屬陰極薄膜時(shí),會(huì)形成大量的缺陷,造成耐氧化性變差;而蒸鍍合金陰極時(shí),少量的金屬會(huì)優(yōu)先擴(kuò)散到缺陷中,使整個(gè)有機(jī)層變得很穩(wěn)定。將性質(zhì)活潑的低功函數(shù)金屬和化學(xué)性能較穩(wěn)定的高功函數(shù)金屬一起蒸發(fā)形成金屬陰極、如Mg∶Ag(10∶1),Ⅱ∶Al lO.6%Ⅱ)合金電極,功函數(shù)分別為3.7eV和3,2cV。合金電極的優(yōu)點(diǎn)是能提高器件量子效率和穩(wěn)定性,能在有機(jī)膜上形成穩(wěn)定堅(jiān)固的金屬薄膜。
(3)層狀陰極:這種陰極是在發(fā)光層與金屬電極之間加入一層阻擋層,如hF、CsF、RbF等,它們與Al形成雙電極。阻擋層可大幅度提高器件的性能。由一層極薄的絕緣材料如hF、u2o、MgO、A1203等和外面一層較厚的Al組成,其電子注入性能較純Al電極高,可得到更高的發(fā)光效率和更好的I-V特性曲線。
(4)摻雜復(fù)合型電極:將摻雜有低功函數(shù)金屬的有機(jī)層夾在陰極和有機(jī)發(fā)光層之間,可大大改善器件性能,其典型器件是ITo/~NPD/AlQ從lQ(Ⅱ)/Al,最大亮度可達(dá)30000CⅣm2。
光的顏色與材料有關(guān)。一種方AD8541ARTZ-REEL7法是用小分子層工作,例如鋁氧化物;另一種方法是將激活的色素嵌入聚合物長(zhǎng)鏈,這種聚合物非常容易溶化,可以制成涂層。制備oLED的材料種類(lèi)很多,主要分為陽(yáng)極材料、陰極材料、緩沖層材料、載流子傳輸材料和發(fā)光材料等幾大類(lèi)。
陰極材料
OLED的陰極材料主要做器件的陰極之用,為提高電子的注入效率,應(yīng)該選用功函數(shù)盡可能低的金屬材料,因?yàn)殡娮拥淖⑷氡瓤昭ǖ淖⑷腚y度要大些。金屬功函數(shù)的大小嚴(yán)重影響著OLED器件的發(fā)光效率和使用壽命,金屬功函數(shù)越低,電子注入就越容易,發(fā)光效率就越高;此外,功函數(shù)越低,有機(jī)/金屬界面勢(shì)壘越低,工作中產(chǎn)生的焦耳熱就會(huì)越少,器件壽命就會(huì)有較大的提高。
(1)單層金屬陰極,如Ag、Al、Ⅱ、Mg、Ca、h等。它們?cè)诳諝庵泻苋菀妆谎趸?致使器件不穩(wěn)定、使用壽命縮短,因此選擇合金做陰極或增加緩沖層來(lái)避免這一問(wèn)題。
(2)合金陰極:為了既能提高器件的發(fā)光效率,又能得到穩(wěn)定的器件,通常采用金屬合金作為陰極。在蒸發(fā)單一金屬陰極薄膜時(shí),會(huì)形成大量的缺陷,造成耐氧化性變差;而蒸鍍合金陰極時(shí),少量的金屬會(huì)優(yōu)先擴(kuò)散到缺陷中,使整個(gè)有機(jī)層變得很穩(wěn)定。將性質(zhì)活潑的低功函數(shù)金屬和化學(xué)性能較穩(wěn)定的高功函數(shù)金屬一起蒸發(fā)形成金屬陰極、如Mg∶Ag(10∶1),Ⅱ∶Al lO.6%Ⅱ)合金電極,功函數(shù)分別為3.7eV和3,2cV。合金電極的優(yōu)點(diǎn)是能提高器件量子效率和穩(wěn)定性,能在有機(jī)膜上形成穩(wěn)定堅(jiān)固的金屬薄膜。
(3)層狀陰極:這種陰極是在發(fā)光層與金屬電極之間加入一層阻擋層,如hF、CsF、RbF等,它們與Al形成雙電極。阻擋層可大幅度提高器件的性能。由一層極薄的絕緣材料如hF、u2o、MgO、A1203等和外面一層較厚的Al組成,其電子注入性能較純Al電極高,可得到更高的發(fā)光效率和更好的I-V特性曲線。
(4)摻雜復(fù)合型電極:將摻雜有低功函數(shù)金屬的有機(jī)層夾在陰極和有機(jī)發(fā)光層之間,可大大改善器件性能,其典型器件是ITo/~NPD/AlQ從lQ(Ⅱ)/Al,最大亮度可達(dá)30000CⅣm2。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 氣體放電的伏安特性曲線
- 漂移電流大于擴(kuò)散電流
- 分子束外延(MBE)
- 異質(zhì)結(jié)構(gòu)用于發(fā)光器件上相對(duì)同質(zhì)結(jié)構(gòu)具有明顯優(yōu)
- 觸發(fā)脈沖要有一定的寬度,前沿要陡
- 膽甾相液晶
- 液晶的物理性質(zhì)
- 共價(jià)結(jié)合(共價(jià)鍵)
- 傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)
- 自動(dòng)裝架
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
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