⒛世紀(jì)⒇年代初,人們對(duì)oLED效率的因素進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)了兩點(diǎn)限制效率的因素:AD8539ARMZ-REEL7朝向有機(jī)分層的極間電荷注入受限輸運(yùn)(I四ccti0n Ⅱmitcd Transpo⒒)以及因材料性質(zhì)形成的整體受限輸運(yùn)(Bluk Ⅱmited Transpo⒒)。經(jīng)典半導(dǎo)體理論用電荷注入機(jī)理,并用隧道效應(yīng)模型和肖特基金屬半導(dǎo)體接觸的熱離子發(fā)射對(duì)其進(jìn)行了解釋。提出整體受限輸運(yùn)機(jī)理為:歐姆傳導(dǎo)和空間電荷限制電流(sCLC)。

   載荷孑輸運(yùn)模型

   有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)的電荷遷移率很低,當(dāng)載荷子從金屬注入電場(chǎng)作用下的有機(jī)固體時(shí),電荷在界面附近的固體中積累,形成大量的空間電荷。單極電荷輸運(yùn)的數(shù)學(xué)公式己經(jīng)被提出,多層oLED,即雙極輸運(yùn)的理論更為復(fù)雜,目前還未出現(xiàn)考慮雙極電流、輸入受限輸運(yùn)和整體受限輸運(yùn)的統(tǒng)一模型。

   Mark和Hclfrich提出了有機(jī)晶體的空間電荷限制電流理論,該理論用了價(jià)帶和導(dǎo)帶的概念來(lái)解釋能隙和陷阱,與經(jīng)典的能帶理論有―些相似之處,但是該理論未考慮遷移率與電場(chǎng)和溫度的關(guān)系。

  對(duì)于無(wú)陷阱的有機(jī)半導(dǎo)體,其遷移率較低,Child定律定義了永久區(qū)的電流.