絕緣柵雙極晶體管(Inqulated Gate BⅡd盯⒎ansistor)簡稱⒑BT,是一種集BJT的大電流密度和M0叩ET電壓驅(qū)動場控型器件的優(yōu)點于一體的高壓、MAX3222IDBR高速大功率器件。目前有用不同材料及丁藝制作的IGBT,但它們均可被看作一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管的復合結(jié)構(gòu)。

   絕緣柵雙極晶體管(⒑BT)本質(zhì)上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層。根據(jù)國際電I委員會(IEC)的文件建議,其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。為了兼顧長期以來人們的習慣,IEC規(guī)定:源極引出的電極端子(含電極端)稱為發(fā)射極端(子),漏極引出的電極端(子)稱為集電極端(子)。